耐用的混合异质结构及其制造方法
实质审查的生效
摘要
一种混合异质结构(10)包括：包括锑化铟的半导体层(12)、包括铝的超导体层(16)、以及在半导体层与超导体层之间的屏蔽层(14)，屏蔽层包括砷化铟。通过在锑化铟半导体层与铝超导体层之间包括砷化铟屏蔽层，提供了适用于量子计算设备的高性能且耐用的混合异质结构。
基本信息
专利标题 ：
耐用的混合异质结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114424353A
申请号 ：
CN202080065946.X
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2020-06-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·F·托马斯M·J·曼弗拉
申请人 ：
微软技术许可有限责任公司
申请人地址 ：
美国华盛顿州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202080065946.X
主分类号 ：
H01L39/22
IPC分类号 ：
H01L39/22 H01L39/12 H01L39/02 H01L39/24 G06N10/00
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 39/22
申请日 : 20200626
申请日 : 20200626
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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