太赫兹信号垂直腔面发射器及其制作方法
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摘要
本公开实施例提供了一种太赫兹信号垂直腔面发射器及其制造方法，包括：有源层，包括第一发光子层、第二发光子层及运输匹配子层；中分布反射镜层，位于第一发光子层远离第二发光子层的一侧；中分布反射镜层包括多个交替排布的第一高折射率子层与第一低折射率子层；欧姆接触层，位于中分布反射镜层远离有源层的一侧；上分布反射镜层，位于欧姆接触层远离中分布反射镜层的一侧，包括多个交替排布的第二高折射率子层与第二低折射率子层；下分布反射镜层，位于有源层远离欧姆接触层的一侧，包括多个交替排布的第三高折射率子层与第三低折射率子层；非线性晶体层，位于上分布反射镜层远离欧姆接触层的一侧。
基本信息
专利标题 ：
太赫兹信号垂直腔面发射器及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112736643A
申请号 ：
CN202110003808.5
公开（公告）日 ：
2021-04-30
申请日 ：
2021-01-04
授权号 ：
CN112736643B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
何晓颖忻向军饶岚张琦李欣国汤宝姜勋财
申请人 ：
北京邮电大学;武汉光迅科技股份有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区西土城路10号
代理机构 ：
北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
马敬
优先权 ：
CN202110003808.5
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/00
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-05-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/183
申请日 : 20210104
申请日 : 20210104
2021-04-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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