半导体存储器装置及其布局以及其局部救援方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及半导体存储器装置及其布局以及其局部救援方法。一种半导体存储器装置包括：多个平面，其限定在多个芯片区域中；以及救援电路，其被配置为禁用多个平面当中的故障平面并使能多个平面当中的正常平面，其中，半导体存储器装置仅用被使能的正常平面进行操作。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器装置及其布局以及其局部救援方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446377A
申请号 ：
CN202110521461.3
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-05-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴星来
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN202110521461.3
主分类号 ：
G11C29/44
IPC分类号 ：
G11C29/44 G11C5/02 G11C5/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
G11C29/08
功能测试，例如，在刷新、通电自检或分布型测试期间的测试
G11C29/12
用于测试的内置装置，例如，内置的自检装置
G11C29/44
错误指示或识别，例如，修复
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 29/44
申请日 : 20210513
申请日 : 20210513
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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