一种基于分布电容的辐射加固SiC器件结构
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摘要
本发明公开了一种基于分布电容的辐射加固SiC器件结构；本发明在有源区的低掺杂浓度的第一掺杂类型的外延层内，交错插入分布的浮空的高掺杂浓度的第二掺杂类型结构，纵向位置相同的同层高掺杂浓度的第二掺杂类型结构间隔若干有源区元胞设置；各层之间的低掺杂浓度的第一掺杂区域与高掺杂浓度的第二掺杂区域交替复合结构形成PN交替电容，从顶部电极到底部电极呈纵向排布状态，分别与非有源区内的对应同一层的用于存储电荷的浮空的PN结电容连接。本发明通过多个串联PN结分布电容形成的稳压作用，限制单粒子输入时的局部电场，并对单粒子路径上的局部电流进行分流，以“暂存至分布电容处”，从而限制器件的局部功率，防止过热的产生。
基本信息
专利标题 ：
一种基于分布电容的辐射加固SiC器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113540209A
申请号 ：
CN202110658972.X
公开（公告）日 ：
2021-10-22
申请日 ：
2021-06-04
授权号 ：
CN113540209B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
孙博韬张清纯
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
上海市杨浦区邯郸路220号
代理机构 ：
上海正旦专利代理有限公司
代理人 ：
王洁平
优先权 ：
CN202110658972.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2021-11-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20210604
申请日 : 20210604
2021-10-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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