发射电磁辐射的半导体器件和器件壳体
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摘要
公开了一种光电器件，它包括器件壳体(2)和具有支承衬底(11)和发射辐射的层序列(12)的本体(1)。本体(1)被设置在器件壳体(2)的反射槽(5)中，并且与器件壳体(2)的外部的电连接导体(41，42)导电连接。在此，反射槽(5)包括：具有内表面(53)的反射区(51)，其横截面从发射辐射的本体(1)来看这样地向器件壳体(2)的正面扩大，使得层序列的、射在内表面(53)上的辐射被有目的地向器件的一个希望的光轴(3)偏转，以及在底部设置在反射区(51)之前的衬底凹穴(52)，在衬底凹穴中设置有发出辐射的本体(1)，其中，衬底凹穴(52)的深度被这样选择，使得支承衬底(11)相对于反射区(51)至少部分地下沉，并且衬底凹穴(52)的长度和宽度这样适配本体(1)的长度和宽度，使得在本体(1)的边缘和衬底凹穴(52)的边缘之间仅仅存在微小的空隙。在一种优选的实施形式中，器件壳体(2)此外还具有透镜(7)，该透
基本信息
专利标题 ：
发射电磁辐射的半导体器件和器件壳体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101048879A
申请号 ：
CN200580036291.9
公开（公告）日 ：
2007-10-03
申请日 ：
2005-10-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
迈克·伯尔纳弗兰克·默尔梅尔
申请人 ：
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请人地址 ：
德国雷根斯堡
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨生平
优先权 ：
CN200580036291.9
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2012-02-08 ：
授权
2007-11-28 ：
实质审查的生效
2007-10-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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