一种抗辐射BTS SOI CMOS器件结构

专利申请权、专利权的转移

摘要

一种抗辐射BTS SOI CMOS器件结构，涉及抗辐射SOI CMOS器件技术，特别是涉及一种新的抗辐射BTS SOI CMOS器件结构。本发明受到总装备部装备预先研究项目经费资助。按照本发明所提供的设计方案，在结构的中部为多晶区，在多晶区的右侧为漏端，在多晶区的左侧为源端，其特征是：在漏端N+有源区上有一个漏端接触孔，漏端接触孔上有引出导线，在源端N+有源区上有一个源端接触孔，在源端N+有源区的上下两侧各有一个P+有源区，在源端N+有源区的左侧为P+有源区，两块P+有源区由P+有源区引出，源端N+有源区与P+有源区上有两个并在一起的接触孔，把源端N+有源区与两块P+有源区连接在一起，在该并在一起的接触孔上同样有引出导线。

基本信息

专利标题：

一种抗辐射BTS SOI CMOS器件结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101009291A

申请号：

CN200610038106.6

公开（公告）日：

2007-08-01

申请日：

2006-01-27

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

肖志强洪根深孙锋

申请人：

无锡中微晶园电子有限公司

申请人地址：

214035江苏省无锡市新区长江路21号A座203室

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所

代理人：

曹祖良

优先权：

CN200610038106.6

主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L27/12

法律状态

2016-10-19 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101740453682
IPC(主分类) : H01L 27/12
专利号 : ZL2006100381066
登记生效日 : 20160928
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 无锡中微晶园电子有限公司
变更后权利人 : 无锡中微晶园电子有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 214035 江苏省无锡市新区长江路21号A座203室
变更后权利人 : 214028 江苏省无锡市新区长江路21号A座203室
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中国电子科技集团公司第五十八研究所

2008-10-01 ：

授权

2007-09-26 ：

实质审查的生效

2007-08-01 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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