晶体直径生长的自动控制方法、装置、电子设备和存储介质
授权
摘要
本发明涉及一种直拉单晶工艺中晶体直径生长的自动控制方法，包括步骤：获取单晶炉的多个当前设备参数；根据多个当前设备参数和预先构建的预测模型预测得到第一预设时间后的预测设备参数，或第二预设时间后的预测晶体直径；根据预测设备参数和预设目标直径计算得到至少一个控制偏移量；或，根据预测晶体直径和预设目标直径计算得到至少一个控制偏移量；根据至少一个控制偏移量自动调节相应的设备参数。本发明通过预测模型可以预测设备参数或晶体直径的变化趋势，预先设定调整参数，有效减少残次品的产生。相应地，本发明还提供一种自动控制装置、电子设备和存储介质。
基本信息
专利标题 ：
晶体直径生长的自动控制方法、装置、电子设备和存储介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113584576A
申请号 ：
CN202110874929.7
公开（公告）日 ：
2021-11-02
申请日 ：
2021-07-30
授权号 ：
CN113584576B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
沈剑刘迪唐磊胡逸群陈建东
申请人 ：
上海众壹云计算科技有限公司
申请人地址 ：
上海市静安区机场三路238号1217室
代理机构 ：
重庆恩洲知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
兰渝宏
优先权 ：
CN202110874929.7
主分类号 ：
C30B15/22
IPC分类号 ：
C30B15/22 C30B29/06 G06F30/27 G06K9/62
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
C30B15/22
被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制；晶体截面的控制
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2021-11-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/22
申请日 : 20210730
申请日 : 20210730
2021-11-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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