用于集成电路中低电阻过孔的具有区域选择性粘附或阻挡材料的...
公开
摘要
集成电路互连结构包括具有衬垫材料的互连金属化特征，所述衬垫材料在填充金属和介电材料之间具有较大的厚度，并且在填充金属和下级互连金属化特征之间具有较小的厚度。衬垫材料可实质上不存在于填充金属与下级互连金属化特征之间的界面。在过孔底部处的厚度减小的衬垫材料可以减小过孔电阻和/或便于使用可以增强互连结构的可缩放性的高阻抗衬垫材料。在一些实施例中，利用区域选择性原子层沉积工艺将衬垫材料沉积在介电表面上。对于单镶嵌实施方式，过孔和金属线两者都可以包括选择性沉积的衬垫材料。
基本信息
专利标题 ：
用于集成电路中低电阻过孔的具有区域选择性粘附或阻挡材料的互连结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446872A
申请号 ：
CN202111170788.7
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·杰泽斯基J-R·陈M·雷什奥特克J·M·布莱克韦尔M·梅茨C-Y·林
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
林金朝
优先权 ：
CN202111170788.7
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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