具有改善的应力分布的MEMS器件以及其制造工艺
实质审查的生效
摘要
本公开的实施例涉及具有改善的应力分布的MEMS器件以及其制造工艺。MEMS器件由半导体材料主体形成，所述半导体材料主体限定支撑结构。所述半导体材料主体中的贯通式腔体由所述支撑结构包围。可移动结构被悬置在所述贯通式腔体中。弹性结构在所述支撑结构与所述可移动结构之间的所述贯通式腔体中延伸。所述弹性结构具有第一部分和第二部分并且在使用中经受机械应力。所述MEMS器件还由金属区域形成，所述金属区域在所述弹性结构的所述第一部分上延伸，并且由所述弹性结构中的掩埋腔体形成。所述掩埋腔体在所述弹性结构的所述第一部分与所述第二部分之间延伸。
基本信息
专利标题 ：
具有改善的应力分布的MEMS器件以及其制造工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114368724A
申请号 ：
CN202111198768.0
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
N·博尼L·文奇盖拉R·卡尔米纳蒂M·默利
申请人 ：
意法半导体股份有限公司
申请人地址 ：
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202111198768.0
主分类号 ：
B81B3/00
IPC分类号 ：
B81B3/00 B81B7/02 B81C1/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81B
微观结构的装置或系统，例如微观机械装置
B81B3/00
由柔性或可变形的元件组成的装置，例如由弹性舌或膜片组成
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B81B 3/00
申请日 : 20211014
申请日 : 20211014
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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