具有增强应力状态的器件及相关方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种具有双重氮化物衬垫的半导体器件和用于制造这种器件的方法，所述衬垫为至少一个FET(300)提供增加的横向应力状态。本发明的第一方面提供一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：向该器件施加第一氮化硅衬垫(360)和施加与第一氮化硅衬垫相邻的第二氮化硅衬垫(370)，其中第一和第二氮化硅衬垫中的至少一个在第一和第二氮化硅衬垫中的至少一个的下面的硅沟道(330)中引发横向应力。

基本信息

专利标题：

具有增强应力状态的器件及相关方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101073147A

申请号：

CN200580042295.8

公开（公告）日：

2007-11-14

申请日：

2005-12-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

杜雷塞蒂·齐德姆巴劳李瑛拉齐夫·马利克施里施·纳拉西姆哈杨海宁朱慧珑

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

杜娟

优先权：

CN200580042295.8

主分类号：

H01L21/31

IPC分类号：

H01L21/31 H01L23/58

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/31

在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择

法律状态

2019-11-22 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/31
申请日 : 20051208
授权公告日 : 20091111
终止日期 : 20181208

2017-12-08 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/31
登记生效日 : 20171120
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2017-12-08 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/31
登记生效日 : 20171120
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2009-11-11 ：

授权

2008-01-09 ：

实质审查的生效

2007-11-14 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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