含有IGBT和超级结MOSFET的智能功率模块
实质审查的生效
摘要
一种智能功率模块(IPM)，包括第一、第二、第三和第四芯片支撑元件、第一组绝缘栅双极晶体管(IGBTs)、第二组IGBT、第一组超级结金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管(MOSFETs)、第二组超级结MOSFET，第五芯片支撑元件、低压集成电路、高压集成电路和成型封装。低压和高压集成电路连接到第五芯片支撑元件。所述成型封装封装了包括第一、第二、第三和第四芯片支撑元件、第一组IGBTs、第二组IGBTs、第一组超结MOSFETs、第二组超级结MOSFETs、第五芯片支撑元件、低压IC、高压IC。
基本信息
专利标题 ：
含有IGBT和超级结MOSFET的智能功率模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464612A
申请号 ：
CN202111250923.9
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐范锡马督儿·博德牛志强李俊鎬徐小静庄肇嵘
申请人 ：
万国半导体国际有限合伙公司
申请人地址 ：
加拿大安大略省多伦多市国王大街西100号#6000套房
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
董科
优先权 ：
CN202111250923.9
主分类号 ：
H01L25/18
IPC分类号 ：
H01L25/18 H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/18
申请日 : 20211026
申请日 : 20211026
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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