利用等离子体辅助原子层沉积技术制造半导体装置的方法
实质审查的生效
摘要
一种利用等离子体辅助原子层沉积技术制造半导体装置的方法，包括：提供基板，基板包括硅基板及第一氧化层，第一氧化层位于硅基板上。沉积多个堆叠层于基板上，每个堆叠层包括介电层及导体层。蚀刻堆叠层以形成沟槽。使用等离子体辅助原子层沉积设备沉积第二氧化层。等离子体辅助原子层沉积设备包括腔室、上电极、下电极及三维旋转装置。上电极位于腔室的上方并连接第一射频功率装置，上电极用于产生等离子体。下电极设置于三维旋转装置上并连接第二射频功率装置。三维旋转装置带动基板旋转。沉积高电阻层于第二氧化层上。沉积低电阻层于高电阻层上。
基本信息
专利标题 ：
利用等离子体辅助原子层沉积技术制造半导体装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446802A
申请号 ：
CN202111258327.5
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
颜聪富张光瑞蔡群贤李庭鹃蔡群荣
申请人 ：
台湾奈米碳素股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学园区苗栗县竹南镇科研路50-1号5楼
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
殷爽
优先权 ：
CN202111258327.5
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L21/768 H01L21/02 H01L21/311 H01L21/3213 C23C16/455 C23C16/458 C23C16/509
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20211027
申请日 : 20211027
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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