激光元件
实质审查的生效
摘要
激光元件(10)具备依次层叠的n型半导体层(13)、发光层(14)及p型半导体层(15)。p型半导体层(15)包括在包含主面(P1)的层设置有接触层(1522)的脊(152)。在侧面(P2)与主面(P1)的边界设有使接触层(1522)凹陷的台阶(1523)。
基本信息
专利标题 ：
激光元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114552388A
申请号 ：
CN202111357771.2
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
野口哲宽谷善彦中津弘志
申请人 ：
夏普福山激光株式会社
申请人地址 ：
日本国广岛县福山市大门町旭1番地
代理机构 ：
深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司
代理人 ：
郝家欢
优先权 ：
CN202111357771.2
主分类号 ：
H01S5/22
IPC分类号 ：
H01S5/22 H01S5/042 H01S5/323
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/22
申请日 : 20211116
申请日 : 20211116
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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