激光元件
公开
摘要
本发明公开一种激光元件，其包括基底、位于基底上的外延结构、以及位于外延结构上的第一电极和第二电极。所述外延结构包括：第一半导体结构位于基底上，第二半导体结构位于第一半导体结构上，中间层位于第二半导体结构上，第三半导体结构位于中间层上，电流局限层位于第三半导体结构中，第四半导体结构位于第三半导体结构上，及活性结构位于第三半导体结构与第四半导体结构之间。所述第一电极和第二电极位于第四半导体结构上，且第一电极具有一部分贯穿第四半导体结构、活性结构及第三半导体结构，而连接于中间层。
基本信息
专利标题 ：
激光元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512895A
申请号 ：
CN202111359200.2
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林炳成陈守龙谢奇勋锺昕展
申请人 ：
晶智达光电股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹县
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202111359200.2
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/125
法律状态
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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