一种金属栅的测试结构和测试方法
公开
摘要
本发明提供一种金属栅的测试结构和测试方法，该测试结构包括若干相互间隔设置的有源区、横跨有源区并且在有源区上蛇形分布的金属栅、位于有源区两侧的LDD区以及第一和第二焊垫。本发明的测试结构对金属栅制程中由于STI较低所造成的多晶硅无法完全置换的问题十分敏感，能够有效监测金属栅的替换失败情况，并且可以做到出货前每片晶圆都测试，相比扫描缺陷的方式，可进行长期有效的监测，提升了金属栅器件的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种金属栅的测试结构和测试方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300442A
申请号 ：
CN202111446342.2
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
夏禹
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
王关根
优先权 ：
CN202111446342.2
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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