用于蚀刻铜双层金属配线结构的蚀刻液组合物及制备方法、应用...
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种用于蚀刻铜双层金属配线结构的蚀刻液组合物及制备方法、应用和制造薄膜阵列基板的方法,涉及金属配线蚀刻术领域。该用于蚀刻铜双层金属配线结构的蚀刻液组合物主要由特定用量的双氧水、螯合剂、碳杂环化合物、双氧水稳定剂、有机酸、无机酸、碱、锥度维持剂和水等原料制成,通过上述各原料之间的协同配合作用,使得所制得的蚀刻液组合物能够用于蚀刻铜双层金属配线结构,制程覆盖面广,改善了现有的蚀刻液往往仅能满足某一种金属配线结构的蚀刻,很难满足不同金属配线结构的技术问题,且该蚀刻液组合物的安全性好,成本优异,可有效地应用于铜制程配线的蚀刻。本发明还提供了上述蚀刻液组合物的制备方法和应用。
基本信息
专利标题 :
用于蚀刻铜双层金属配线结构的蚀刻液组合物及制备方法、应用和制造薄膜阵列基板的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114381734A
申请号 :
CN202111453553.9
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2021-12-01
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张念椿梅园伍红星王岳浩王婕
申请人 :
达高工业技术研究院(广州)有限公司
申请人地址 :
广东省广州市黄埔区新瑞路6号B201房
代理机构 :
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
张金铭
优先权 :
CN202111453553.9
主分类号 :
C23F1/18
IPC分类号 :
C23F1/18 C23F1/02 C23F1/26 H01L27/12 H01L21/77
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23F
非机械方法去除表面上的金属材料;金属材料的缓蚀;一般防积垢;至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理
C23F1/00
金属材料的化学法蚀刻
C23F1/10
蚀刻用组合物
C23F1/14
含水组合物
C23F1/16
酸性组合物
C23F1/18
蚀刻铜或铜合金用的
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23F 1/18
申请日 : 20211201
申请日 : 20211201
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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