一种非对称半导体结构的制作方法
公开
摘要
本发明公开一种非对称半导体结构的制作方法，包括：提供具有第一通孔的第一晶圆；提供第二晶圆，在其上形成具有第二通孔的光刻胶层；其中，第一通孔的宽度大于第二通孔的宽度；将第一晶圆与第二晶圆键合在一起，以使第一通孔与第二通孔连通成非对称的沟槽结构；以第一晶圆和光刻胶层为掩膜，对第二晶圆进行刻蚀，以在第二晶圆上形成非对称半导体结构；解键合去除第一晶圆和光刻胶层。通过先提供具有第一通孔的第一晶圆，然后提供具有第二通孔的光刻胶层的第二晶圆，并将第一晶圆和第二晶圆键合使第一通孔和第二通孔连通形成非对称的沟槽结构，通过非对称的沟槽结构对第二晶圆进行刻蚀形成非对称半导体结构，该制备方法工艺简单且成本低。
基本信息
专利标题 ：
一种非对称半导体结构的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300354A
申请号 ：
CN202111555966.8
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林源为
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京思创毕升专利事务所
代理人 ：
孙向民
优先权 ：
CN202111555966.8
主分类号 ：
H01L21/308
IPC分类号 ：
H01L21/308 H01L21/3065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/308
应用掩膜的
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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