一种原位MEMS变形载网芯片结构及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种原位MEMS变形载网芯片结构及其制备方法,结构包括衬底,衬底上设有电极引线,电极引线埋设在绝缘保护层中,绝缘保护层上设有阵列排布的功能区单元;功能区单元包括热执行器和叉指结构样品台,热执行器与下方的所述电极引线连接,热执行器的悬臂梁通过连杆连接叉指结构样品台,叉指结构样品台正下方设有电镜观测窗口。器件基于双层多晶硅结构、多参数热执行器阵列和叉指结构样品台组成的变形载网机制,使该测试芯片可以在原位TEM/SEM里实现适配于多种待测样品的原位多参数力学模式表征功能。
基本信息
专利标题 :
一种原位MEMS变形载网芯片结构及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114295662A
申请号 :
CN202111576425.3
公开(公告)日 :
2022-04-08
申请日 :
2021-12-22
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
聂萌黄语恒尹奎波谭治远吴博知
申请人 :
东南大学
申请人地址 :
江苏省南京市江宁区东南大学路2号
代理机构 :
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
吴旭
优先权 :
CN202111576425.3
主分类号 :
G01N23/2204
IPC分类号 :
G01N23/2204 G01N23/20025 G01N23/04 H01J37/20 H01J37/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料,例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
G01N23/22
通过测量材料的二次发射
G01N23/2204
样品支架;样品的输送方法
法律状态
2022-04-08 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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