一种预图形化覆铜陶瓷基板及其制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种预图形化覆铜陶瓷基板及其制备方法,包括以下制备工艺:S1.在陶瓷基片上激光加工出定位基准孔;S2.在陶瓷基片上需要键合的区域预图形涂覆活性焊料;S3.将铜片与陶瓷片固定,焊接;S4.图形化加工,去除未涂覆焊料区域铜片,得到覆铜陶瓷基板。本发明利用活性焊料通过丝网印刷等方式在陶瓷基板上形成图形,铜片直接与焊料图形进行焊接,非图形区域没有活性焊料以及铜片的存在,能够保持洁净;在后续操作中无需对活性焊料层进行二次蚀刻加工,解决了铜线路层沟槽内活性焊料的残留和蚀刻不净的问题,同时减少了活性焊料的消耗,减少了工艺,降低了成本,使得工艺更为简单,易于操作,生产效率得到提高,适于大规模推广应用。

基本信息
专利标题 :
一种预图形化覆铜陶瓷基板及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114466519A
申请号 :
CN202111584839.0
公开(公告)日 :
2022-05-10
申请日 :
2021-12-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杨恺俞晓东刘晓辉
申请人 :
南通威斯派尔半导体技术有限公司
申请人地址 :
江苏省南通市南通高新技术产业开发区双福路118号
代理机构 :
南通国鑫智汇知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
王薇薇
优先权 :
CN202111584839.0
主分类号 :
H05K3/02
IPC分类号 :
H05K3/02  H05K1/03  H05K1/09  
法律状态
2022-05-27 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H05K 3/02
申请日 : 20211223
2022-05-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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