一种高纯砷化镓多晶及其制备装置和方法
实质审查的生效
摘要
本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种高纯砷化镓多晶及其制备装置和方法。所述高纯砷化镓多晶为Si元素≤15PPB，S元素≤5PPB，其它杂质元素总含量≤80PPB，直径为72～155mm，长度为450～550mm，高度大于50mm的D形砷化镓多晶棒。所述方法包括将砷和镓分别放入石英舟的合成炉，在氢气条件下将As加热至630～670℃使砷升华成砷气体，Ga加热至1250～1280℃反应，同时砷的杂质与氢气反应；通过程序控制温度曲线使合成的砷化镓液体凝固成高纯砷化镓多晶棒。本发明方法能够显著降低杂质含量及增加合成多晶棒的直径，可用于制造性能优越的半绝缘单晶。
基本信息
专利标题 ：
一种高纯砷化镓多晶及其制备装置和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114411259A
申请号 ：
CN202111616596.4
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王金灵周铁军马金峰罗小龙
申请人 ：
广东先导微电子科技有限公司
申请人地址 ：
广东省清远市高新区创兴三路16号A车间
代理机构 ：
清远市清城区诺誉知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
龚元元
优先权 ：
CN202111616596.4
主分类号 ：
C30B29/42
IPC分类号 ：
C30B29/42 C30B28/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
C30B29/42
砷化镓
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/42
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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