一种判断通孔开路缺陷的方法及其应用
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种判断通孔开路缺陷的方法及其应用。一种判断通孔开路缺陷的方法，包括下列步骤：OPC，计算出金属层和通孔层刻蚀后的轮廓；算通孔层刻蚀后的轮廓面积S，再任选将其模拟成等面积的规则多边形；以版图设计的坐标位置为圆点，分别计算x方向和y方向的潜在开路缺陷概率；分别x方向和y方向的重叠面积比例结果与安全阈值作比较，从而通过在套刻误差分布下开路的概率Px和Py；分别设定在x方向和y方向上发生通孔开路的概率安全阈值Psafe‑x与Psafe‑y，比较Px与Psafe‑x，Py与Psafe‑y，优化版图直至满足要求。本发明能够预测在套刻工艺波动的情况下一定范围内的开路风险。
基本信息
专利标题 ：
一种判断通孔开路缺陷的方法及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114441925A
申请号 ：
CN202111631600.4
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
苏晓菁韦亚一粟雅娟
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
史晶晶
优先权 ：
CN202111631600.4
主分类号 ：
G01R31/265
IPC分类号 ：
G01R31/265 G01R31/54 G01N21/956 H01L21/66 G06T7/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/265
••无触点测试
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/265
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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