基于洛伦兹力的三维MEMS磁场传感器及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了基于洛伦兹力的三轴MEMS磁场传感器，包括衬底、框架、锚区、弹簧、传感电极、驱动金属层、检测金属层以及质量块。该传感器利用MEMS工艺加工，利用梳齿电容组成的电容式感应电极。三轴感应电极集成在一个单一的质量块和框架之间，消除了轴间耦合，提高了灵敏度和降低噪声。该磁场传感器结构简单，灵敏度高，噪声小。
基本信息
专利标题 ：
基于洛伦兹力的三维MEMS磁场传感器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114296014A
申请号 ：
CN202111635651.4
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈洁单婉婷颜子尧
申请人 ：
东南大学
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区东南大学路2号
代理机构 ：
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
任志艳
优先权 ：
CN202111635651.4
主分类号 ：
G01R33/06
IPC分类号 ：
G01R33/06 B81C1/00 B81B5/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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