一种以GaAs-OI基为外腔反馈的底发射VCSEL激光器...
公开
摘要
本发明公开了一种以GaAs‑OI基为外腔反馈的底发射VCSEL激光器及制备方法，包括：由施主晶圆上表面结构和受主晶圆上表面结构键合而成的GaAs‑OI复合晶圆；GaAs‑OI复合晶圆包括沿上下方向依次设置的Si衬底、光模式损耗层、介质层和单晶GaAs薄膜层；GaAs‑OI复合晶圆的单晶GaAs薄膜层上生长有底发射VCSEL外延结构，GaAs‑OI复合晶圆的Si衬底的下表面设有反射膜。本发明将底发射VCSEL激光器的外延结构生长在GaAs‑OI复合晶圆上，可以实现VCSEL激光器超大规模集成，进一步提高器件输出激光的性能，从而促进VCSEL激光器在相关领域的工业应用。
基本信息
专利标题 ：
一种以GaAs-OI基为外腔反馈的底发射VCSEL激光器及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300942A
申请号 ：
CN202111655757.0
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
代京京王智勇
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 ：
北京汇信合知识产权代理有限公司
代理人 ：
林聪源
优先权 ：
CN202111655757.0
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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