一种芯片蚀刻流量控制装置及方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及芯片蚀刻技术领域，具体涉及一种芯片蚀刻流量控制装置及方法，包括蚀刻加工台、芯片传送带、传送驱动组件、加工支架、流量控制喷头和角度调节组件；芯片传送带与蚀刻加工台通过传送驱动组件连接，加工支架安装在蚀刻加工台上；角度调节组件包括固定安装板、位移构件、第一连接板、第一伸缩调节座、第二伸缩调节座和第二连接板，固定安装板与加工支架固定连接，第一连接板与固定安装板通过位移构件连接，第一伸缩调节座分别连接第一连接板和第二连接板，第二伸缩调节座分别连接第一连接板和第二连接板，通过调节流量控制喷头的朝向，如此能够均匀地对芯片的侧面进行反应液流量的控制。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片蚀刻流量控制装置及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446829A
申请号 ：
CN202111658074.0
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林涛毛朝庆李志贵刘睿强刘力
申请人 ：
重庆电子工程职业学院
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区大学城东路76号
代理机构 ：
重庆蕴博君晟知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王玉芝
优先权 ：
CN202111658074.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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