一种VCSEL芯片金薄膜蚀刻液及其蚀刻方法
授权
摘要
本发明涉及芯片制造技术领域，公开了一种VCSEL芯片金薄膜蚀刻液及其蚀刻方法，所述蚀刻液的组分包括碘‑碘化钾‑水溶液和醇，所述VCSEL芯片金薄膜的蚀刻方法，使用到上述的刻蚀液，包括以下步骤，将醇加入到碘‑碘化钾‑水溶液中，搅拌均匀，得到刻蚀液；然后将VCSEL芯片制程完成电镀工艺后的晶圆放入到刻蚀液中，静置浸泡，待溅射金完全蚀刻干净后，用水冲洗烘干。本发明使得VCSEL芯片金薄膜蚀刻均匀形貌变好，有效地解决VCSEL芯片在通过湿法金薄膜蚀刻后剩余电镀金层形貌不规则，粗糙度大的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种VCSEL芯片金薄膜蚀刻液及其蚀刻方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112322294A
申请号 ：
CN202011031219.X
公开（公告）日 ：
2021-02-05
申请日 ：
2020-09-27
授权号 ：
CN112322294B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
李雪松刘春梅
申请人 ：
威科赛乐微电子股份有限公司
申请人地址 ：
重庆市万州区万州经开区高峰园B02
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
张晨
优先权 ：
CN202011031219.X
主分类号 ：
C09K13/00
IPC分类号 ：
C09K13/00 H01L21/3213
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09K
不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用
C09K13/00
蚀刻，表面光亮或浸蚀组合物
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-03-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C09K 13/00
申请日 : 20200927
申请日 : 20200927
2021-02-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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