光电子薄膜芯片
授权
摘要
本发明说明了一种光电子薄膜芯片，其具有在薄膜层(2)的有源区(7)中的至少一个辐射发射区域(8)，和设置在辐射发射区域(8)之后的透镜(10，12)，该透镜通过薄膜层(2)的至少一个部分区域构成，其中透镜(10，12)的横向延伸(Φ)大于辐射发射区域的横向延伸(δ)。此外还说明了用于制造这种光电子薄膜芯片的方法。
基本信息
专利标题 ：
光电子薄膜芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101023536A
申请号 ：
CN200580031516.1
公开（公告）日 ：
2007-08-22
申请日 ：
2005-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
克劳斯·施特罗伊贝尔拉尔夫·维尔特
申请人 ：
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请人地址 ：
德国雷根斯堡
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨生平
优先权 ：
CN200580031516.1
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2009-07-22 ：
授权
2007-10-17 ：
实质审查的生效
2007-08-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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