一种梯度结构的晶圆的蚀刻方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种梯度结构的晶圆的蚀刻方法，涉及到半导体技术领域，包括：S1、控制晶圆旋转，通过第一喷头将酸蚀刻液喷在晶圆的上表面，并驱动第一喷头呈弧形往复摆动，同时向晶圆的上表面中心位置以及边缘区域喷射热气流；S2、通过第二喷头将酸蚀刻液喷在水平台阶面，并控制第二喷头沿晶圆的边缘方向往复摆动；S3、通过第三喷头将酸蚀刻液倾斜喷射在竖直台阶面上。本发明中，在晶圆进行蚀刻时向晶圆的表面以及边缘位置通入热气流，实现加温动作，且通过第一喷头、第二喷头的摆动以及第三喷头的倾斜角度，能够使得酸蚀刻液充分的覆盖在晶圆的表面以及台阶面上，能够提高蚀刻效果。
基本信息
专利标题 ：
一种梯度结构的晶圆的蚀刻方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420553A
申请号 ：
CN202111674436.5
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
廖世保徐铭邓信甫
申请人 ：
至微半导体（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区紫海路170号1幢3层03室
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
竺路玲
优先权 ：
CN202111674436.5
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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