一种晶圆洗边蚀刻方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种晶圆洗边蚀刻方法，包括：步骤S1，获取一晶圆并将晶圆放置于一放置台上；步骤S2，控制放置台进行旋转，并控制多个喷淋管依次喷淋溶液对晶圆的边缘进行复层洗边蚀刻。有益效果是本方法采用多个喷淋管依次喷淋第一溶液、第二溶液和第三溶液对晶圆的边缘进行洗边蚀刻，以完全清除晶圆边缘的表面物质并有效提升清洗蚀刻效果。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆洗边蚀刻方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420536A
申请号 ：
CN202111643643.4
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
廖世保徐铭邓信甫
申请人 ：
上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区紫海路170号
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
竺路玲
优先权 ：
CN202111643643.4
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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