一种操作方便的CVD蚀刻方法和蚀刻装置
实质审查的生效
摘要
本发明涉及蚀刻装置技术领域,具体为一种操作方便的CVD蚀刻方法和蚀刻装置,包括底座,所述底座顶部设有水箱、放置台、热风发生器、加热箱和蚀刻仓,所述水箱顶部设有进液管,所述进液管与所述箱体内部相通,所述进液管上设有第一密封阀,所述水箱顶部设有水泵,所述水泵一端与抽水管一端连接,所述抽水管另一端伸入所述水箱内部,所述水泵另一端与出水管一端连接,所述出水管另一端与雾化喷头一端连接,所述放置台上开设有放置槽,所述放置台顶部一侧与支柱一端连接,所述支柱另一端与所述出水管连接,所述热风发生器上设有出气管,本发明一种操作方便的CVD蚀刻方法和蚀刻装置,解决了目前设备不方便清洗和烘干效果差的问题。
基本信息
专利标题 :
一种操作方便的CVD蚀刻方法和蚀刻装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114334725A
申请号 :
CN202111579581.5
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-22
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
钟兴进何淑英罗长诚
申请人 :
广州市鸿浩光电半导体有限公司
申请人地址 :
广东省广州市增城区新塘镇荔新十二路96号9幢103房
代理机构 :
厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
邱冬新
优先权 :
CN202111579581.5
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67 H01L21/02 C23C16/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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