一种硅晶圆蚀刻辅助装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种硅晶圆蚀刻辅助装置，包括置物座、限位机构、驱动机构和清洁机构，所述置物座上半部的中心开设有置物槽，且置物槽的中心设有两组对称的限位机构，两组所述限位机构的内周之间设有放置于置物槽内周的工件，所述置物座上半部靠近置物槽的两侧均开设有驱动槽，且两组驱动槽的内周之间设有驱动机构，所述驱动机构内周与清洁机构的顶部连接，且清洁机构的外周与置物槽的内周相适配，所述置物座下半部的中心开设有回收槽，且回收槽的顶部钻设有多组与置物槽连通的通孔，回收槽的内周通过滑动轨道安装有带有把手的回收屉。该硅晶圆蚀刻辅助装置，能够根据需要进行调节，同时能够对工件进行清洁预处理。
基本信息
专利标题 ：
一种硅晶圆蚀刻辅助装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021192808.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-24
授权号 ：
CN212161766U
授权日 ：
2020-12-15
发明人 ：
夏新
申请人 ：
夏新
申请人地址 ：
江西省吉安市峡江县金坪华侨农场金坪总场120号
代理机构 ：
北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹玉清
优先权 ：
CN202021192808.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/687
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-12-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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