一种硅晶圆制造装置
授权
摘要
本实用新型硅晶圆制造装置，所述装置用于对硅晶圆进行加热和降温，使用时，通过升降支架将加热降温器提起，将待处理的硅晶圆防止在晶圆隔板上，之后再通过升降支架将加热降温器放下，控制器首先控制第一加热器开启对晶圆隔板上的硅晶圆进行加热，加热第一预设时间后，控制器控制第一加热器关闭，将第二加热器开启对晶圆隔板上的硅晶圆进行加热，加热第二预设时间后，控制器控制第二加热器关闭，开启降温器对硅晶圆进行缓慢的降温。控制器还可以通过接收温度传感器检测的硅晶圆表面的温度，调节第一加热器、第二加热器的加热温度以及降温器的制冷温度，从而使得整个加热降温过程的温度条件达到最佳，获得最佳的退火处理效果。
基本信息
专利标题 ：
一种硅晶圆制造装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921480812.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-06
授权号 ：
CN210429750U
授权日 ：
2020-04-28
发明人 ：
王振国
申请人 ：
大同新成新材料股份有限公司
申请人地址 ：
山西省大同市新荣区花园屯村
代理机构 ：
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
申绍中
优先权 ：
CN201921480812.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-04-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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