一种制造HIT电池的非晶硅镀膜设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种制造HIT电池的非晶硅镀膜设备，包括依次设置的机械手上料台、本征非晶硅镀膜体系、水平移载台、N层非晶硅镀膜体系、翻转移载台、P层非晶硅镀膜体系及机械手下料台，以及分别用于本征非晶硅镀膜体系、N层非晶硅镀膜体系与P层非晶硅镀膜体系的载板，以及用于载板回传的载板回传循环系统一、载板回传循环系统二及载板回传循环系统三,载板通过链式输送带连续循环运行。该实用新型通过设备和工艺的整合连续动态镀膜，一次性完成4层HIT电池非晶硅膜的镀膜，产能达到6000片/小时或更高，且解决了绕镀及化学元素磷和硼在硅片正反面的交叉污染问题。
基本信息
专利标题 ：
一种制造HIT电池的非晶硅镀膜设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921530325.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-12
授权号 ：
CN211256085U
授权日 ：
2020-08-14
发明人 ：
上官泉元庄正军
申请人 ：
常州比太科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市武进高新技术产业开发区凤翔路7号
代理机构 ：
北京集智东方知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴倩
优先权 ：
CN201921530325.5
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50 C23C16/54 C23C16/24 C23C14/56 C23C14/16
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2020-08-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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