一种实现梯度结构的蚀刻反应的喷淋方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种实现梯度结构的蚀刻反应的喷淋方法,涉及到喷淋方法的技术领域,包括:步骤1:将晶体放置于腔体内,将所述晶体夹持;步骤2:控制喷淋装置升降至起始位置;步骤3:通过主旋转电机驱动所述喷淋装置由所述起始位置移动至腔体位置;步骤4:所述主旋转电机释放信息给次旋转电机;步骤5:所述次旋转电机从所述腔体内侧位置至晶体外缘做往复运动,用于驱动所述喷淋装置。短行程摆幅的设计确保有效地喷淋位置对应于晶圆外缘;调整喷淋的角度调整,专门对应于晶圆的扫描喷淋在晶圆外缘相对位置与高度;可以自旋转的喷淋角度移动,微量超短行程的交错喷淋装置。
基本信息
专利标题 :
一种实现梯度结构的蚀刻反应的喷淋方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114369876A
申请号 :
CN202111677848.4
公开(公告)日 :
2022-04-19
申请日 :
2021-12-31
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
邓信甫唐宝国张九勤
申请人 :
至微半导体(上海)有限公司
申请人地址 :
上海市闵行区紫海路170号1幢3层03室
代理机构 :
上海申新律师事务所
代理人 :
竺路玲
优先权 :
CN202111677848.4
主分类号 :
C30B33/08
IPC分类号 :
C30B33/08 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/08
侵蚀
法律状态
2022-05-06 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 33/08
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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