曝光场拐角的标记单元
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种曝光场拐角的标记单元，包括有源层标记、金属栅层标记、通孔层标记和隔离层标记；所述有源层标记与所述金属栅层标记交错设置，所述金属栅层标记和所述有源层标记内部均设置空白区；所述通孔层标记设置于所述空白区内，且所述通孔层标记的整体形状与所述空白区的形状相适配；所述通孔层标记和所述隔离层标记均设置于所述空白区，且所述通孔层标记的整体形状和所述隔离层标记的整体形状均与所述空白的形状相适配；所述隔离层标记设置于所述通孔层的外侧；标记之间相互不重叠，解决了若干层标记发生重叠而产生的缺陷的问题；通过设置隔离层标记以隔离有源层标记和通孔层标记，从而使得通孔层标记和有源层标记界限分明。
基本信息
专利标题 ：
曝光场拐角的标记单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334910A
申请号 ：
CN202111682926.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
闵金华沈满华
申请人 ：
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区叶城路1288号6幢JT2216室
代理机构 ：
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄海霞
优先权 ：
CN202111682926.X
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/544
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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