一种门极间低阻抗的氮化镓器件及其并联结构
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摘要
本实用新型涉及一种门极间低阻抗的氮化镓器件及其并联结构，包括氮化镓芯片，所述氮化镓芯片上形成有门极打线盘、源极打线盘和漏极打线盘；所述氮化镓芯片的一端依次设置有所述门极打线盘、源极打线盘和门极打线盘，以形成对称式结构；氮化镓芯片的另一端设置有漏极打线盘；所述氮化镓芯片上设置有门极互联金属层，两个门极打线盘分别与门极互联金属层连接，两个所述门极打线盘通过门极互联金属层相互连接；两个所述门极互联金属层通过金属互联层相连接。其能够将双门极氮化镓器件中两个门极打线盘使用金属互联层进行连接，强化了两个门极打线盘之间的电性连接，降低了阻抗；在实际应用中，更方便多个氮化镓器件的并联，结构简单，构思精巧。
基本信息
专利标题 ：
一种门极间低阻抗的氮化镓器件及其并联结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121848994.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-09
授权号 ：
CN216354227U
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
傅玥孔令涛
申请人 ：
南京芯干线科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市中国(江苏)自由贸易试验区南京片区研创园团结路99号孵鹰大厦2404室
代理机构 ：
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李柏柏
优先权 ：
CN202121848994.4
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L23/49 H01L23/52 H01L25/18
法律状态
2022-04-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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