整流板、流体导入装置以及成膜装置
授权
摘要
提供能够抑制向成膜对象物的成膜速度的变动的整流板。根据实施方式，整流板具有低流路阻力区域和多个高流路阻力区域，所述整流板与喷射流体的多个喷嘴对置地设置，对流体进行整流，所述高流路阻力区域具有与多个喷嘴分别对置的喷嘴对置区域，所述低流路阻力区域，将多个高流路阻力区域分别包围，形成有多个第一贯通孔，且与高流路阻力区域相比流路阻力小。
基本信息
专利标题 ：
整流板、流体导入装置以及成膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122620083.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-29
授权号 ：
CN216585315U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
古谷优树醍醐佳明梅津拓人春山俊盐泽惠子
申请人 ：
株式会社东芝;纽富来科技股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
刘英华
优先权 ：
CN202122620083.2
主分类号 ：
C30B25/14
IPC分类号 ：
C30B25/14 C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/14
气体供给或排出用的装置；反应气流的变换
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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