一种单晶炉用炉内清洁装置
授权
摘要
本实用新型涉及单晶炉技术领域，具体为一种单晶炉用炉内清洁装置，包括炉体和清理装置，清理装置设置在炉体内，清理装置包括炉底，炉底与炉体转动连接，炉底的一侧固定连接有固定块，固定块的表面开设有环形孔，环形孔的内壁滑动连接有限位杆，固定块呈“L”形板状设置，固定块靠近限位杆的一侧固定连接有限位弹簧，限位弹簧远离固定块的一侧与限位杆固定连接。本实用新型，通过设置清理装置，有效对炉体内壁进行清理，提高了设备的稳定性，减少了设备的清理负担，避免杂质附着在炉体内壁中，降低物料受污染的概率，提高设备的易用性，降低使用者的经济损失。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉用炉内清洁装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122666770.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-03
授权号 ：
CN216473571U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
乔帅帅吴亚娟佘辉
申请人 ：
徐州美芯半导体材料科技有限公司;江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市金山桥开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122666770.8
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 F27D25/00 F16N7/14
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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