一种半导体激光器系统
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体激光器系统，包括：半导体激光器芯片，所述半导体激光器芯片适于发射线偏振光；聚焦耦合透镜单元；光阑，所述光阑位于所述聚焦耦合透镜单元和所述半导体激光器芯片之间；光束退偏单元，所述光束退偏单元位于所述聚焦耦合透镜单元背向所述光阑的一侧。所述光束退偏单元能够退化激光模式，使进入光束退偏单元的线偏振光退化为非偏振光或者部分偏振光，从而增大反馈光的发散角，通过光阑即可截止部分反馈光，达到衰减反馈光能量的目的，在提高抗反馈光损伤的能力的同时具有结构简单，空间占用率低，成本低廉，易于生产的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体激光器系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122823311.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-17
授权号 ：
CN216312327U
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
朱晓鹏陈武辉赵志英
申请人 ：
北京大族天成半导体技术有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区凉水河二街8号院17号楼6层
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
王娜
优先权 ：
CN202122823311.6
主分类号 ：
H01S5/02251
IPC分类号 ：
H01S5/02251 H01S5/02253 H01S5/026
法律状态
2022-04-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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