DPC围坝陶瓷基板
授权
摘要
本实用新型公开一种DPC围坝陶瓷基板，包括有DPC陶瓷基板，DPC陶瓷基板具有相对侧设置的正面和背面，DPC陶瓷基板上设置有上线路层和下线路层，DPC陶瓷基板具有线路层布置区和环绕线路层布置区的工艺边框区，上线路层和下线路层位于线路层布置区，上线路层的上表面设置有若干间距排布的金属围坝，DPC陶瓷基板的背面对应工艺边框区设置有工艺边框加厚层，工艺边框加厚层高于背面金属层,通过工艺边框加厚层的设计，利用工艺边框加厚层来平衡DPC陶瓷基板的正面应力，减薄了背面线路，使得产品结构整体厚度减薄。
基本信息
专利标题 ：
DPC围坝陶瓷基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122863849.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-22
授权号 ：
CN216600176U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
袁广罗素扑黄嘉铧
申请人 ：
惠州市芯瓷半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市博罗县园洲镇刘屋管理区绿化北路3号
代理机构 ：
厦门市新华专利商标代理有限公司
代理人 ：
范小艳
优先权 ：
CN202122863849.X
主分类号 ：
H05K1/00
IPC分类号 ：
H05K1/00
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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