一种带释放热应力围坝的陶瓷基板
授权
摘要
本实用新型公开一种带释放热应力围坝的陶瓷基板，包括陶瓷基板，所述陶瓷基板的上表面设置有上线路层，所述陶瓷基板的下表面设置有下线路层，所述上线路层上堆叠设置有若干围坝层，若干围坝层为封闭环形结构，若干围坝层堆叠构形成围坝，其中，若干围坝层的外环宽度由上至下逐渐减小设置，所述围坝的外侧面形成阶梯状结构，所述围坝的外周侧与上线路层的上表面之间形成用于释放热应力的避让槽。该带释放热应力围坝的陶瓷基板通过于围坝的外周侧与上线路层的上表面之间形成释放热应力的避让槽，固晶后围坝产生的热膨胀应力通过避让槽被释放，减少陶瓷基板与围坝之间的膨胀应力，防止陶瓷基板因为围坝的热膨胀应力过大而被拉裂。
基本信息
专利标题 ：
一种带释放热应力围坝的陶瓷基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122597177.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-27
授权号 ：
CN216218446U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
袁广罗素扑黄嘉铧陈志敏
申请人 ：
惠州市芯瓷半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市博罗县园洲镇刘屋管理区绿化北路3号
代理机构 ：
厦门市新华专利商标代理有限公司
代理人 ：
范小艳
优先权 ：
CN202122597177.2
主分类号 ：
H05K7/20
IPC分类号 ：
H05K7/20
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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