新型3D围坝陶瓷基板
授权
摘要
本实用新型公开一种新型3D围坝陶瓷基板，包括有陶瓷基层、正面线路层、背面线路层、围坝底层以及金属围坝；该金属围坝包括有多个自下而上叠合在一起的围坝层，且位于上方之围坝层的宽度大于位于下方之围坝层的宽度，形成倒金字塔形的围坝。通过将金属围坝设置成多个自下而上叠合在一起的围坝层，且位于上方之围坝层的宽度大于位于下方之围坝层的宽度，形成倒金字塔形的围坝，能够在满足上方围坝层宽度的条件下，减少下方围坝层的宽度，可以预留更多的空间做芯片和器件封装，提高布线密集度，有利于集成化封装,增大陶瓷基板的利用率，也可以使单颗尺寸小型化，从而可以在排线密集和大功率器件等领域广泛应用，满足现有需求。
基本信息
专利标题 ：
新型3D围坝陶瓷基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122862338.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-19
授权号 ：
CN216597626U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
袁广罗素扑黄嘉铧
申请人 ：
惠州市芯瓷半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市博罗县园洲镇刘屋管理区绿化北路3号
代理机构 ：
厦门市新华专利商标代理有限公司
代理人 ：
吴成开
优先权 ：
CN202122862338.6
主分类号 ：
H01L33/48
IPC分类号 ：
H01L33/48 H01L33/62
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
