一种氮化铝陶瓷上金属围坝的共晶焊接结构

授权

摘要

本实用新型公开了一种氮化铝陶瓷上金属围坝的共晶焊接结构，包括氮化铝陶瓷基板,所述氮化铝陶瓷基板上设置有金属线路涂层，沿着所述金属线路涂层设置有用于焊接的合金金属层,所述合金金属层的形状与所述金属线路涂层的形状适配，所述合金金属层上设置有围坝，所述围坝的下端面形状与所述合金金属层的形状适配。本实用新型构思新颖、设计合理，且便于使用，本实用新型根据氮化铝陶瓷基板需要通过共晶焊接围坝，提供了一种氮化铝陶瓷基板和围坝之间的设置结构，用于氮化铝陶瓷基板上共晶焊接围坝，效果良好。

基本信息

专利标题：

一种氮化铝陶瓷上金属围坝的共晶焊接结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020791973.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-05-14

授权号：

CN212403963U

授权日：

2021-01-26

发明人：

周孔礼

申请人：

山西华微紫外半导体科技有限公司;周孔礼

申请人地址：

山西省长治市高新区漳泽工业园(山西中科潞安半导体技术研究院有限公司研发楼三层304)

代理机构：

深圳市华盛智荟知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

胡国英

优先权：

CN202020791973.2

主分类号：

C04B37/02

IPC分类号：

C04B37/02