一种TO半导体激光器加热平台
授权
摘要
本实用新型提供了一种TO半导体激光器加热平台，包括底座、加热组件、激光器放置台、至少一个导热组件和压紧组件；底座固定设置在地面上；加热组件设置在底座远离地面的一侧方向，加热组件与底座相对固定设置；加热组件远离底座的端面设置有第一凹槽，激光器放置台设置在第一凹槽内并与加热组件可拆卸式连接；激光器放置台设置有放置激光器的仿形槽；导热组件嵌设在第一凹槽内并与加热组件固定连接；导热组件上设置有水平贯通的第二凹槽；压紧组件固定设置在加热组件或者导热组件上；压紧组件的活动端伸入仿形槽内，抵持设置在仿形槽内的激光器的表面。
基本信息
专利标题 ：
一种TO半导体激光器加热平台
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122891593.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-19
授权号 ：
CN216289491U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
魏立权王良恒宋梦芹李昊李芝顺向远鹏石昊
申请人 ：
武汉高跃科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳大道52号凤凰产业园(武汉·中国光谷文化创意产业园)E地块10幢3层(2)厂房
代理机构 ：
武汉红观专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐春燕
优先权 ：
CN202122891593.3
主分类号 ：
H01S5/024
IPC分类号 ：
H01S5/024 H05B3/02
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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