半导体器件
授权
摘要
本公开提供一种半导体器件。该半导体器件包括：瞬态抑制芯片；低电容芯片，包括第二二极管和第三二极管，所述第二二极管的输出端与所述第三二极管的输入端连接，所述第三二极管的输出端与所述第二二极管的输入端连接；其中，所述瞬态抑制芯片的输出端与所述第二二极管的输入端连接，所述瞬态抑制芯片的输入端为所述半导体器件的第一外部连接端，所述第二二极管的输出端为所述半导体器件的第二外部连接端。本公开能够使半导体器件具有浪涌防护能力和低电容特性。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122955720.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-29
授权号 ：
CN216563122U
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
李颖
申请人 ：
无锡会顶电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区菱湖大道200-16(D2)栋600-71
代理机构 ：
北京博思佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
梁鹏
优先权 ：
CN202122955720.1
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L21/329
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2022-05-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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