一种基于MPCVD法制备金刚石膜的基片台
授权
摘要
本实用新型涉及晶体合成技术领域，具体的涉及一种基于MPCVD法制备金刚石膜的基片台，包括钼托，以及放置在钼托上的沉积底片，所述钼托的上端面设置有用于放置沉积底片的生长槽，所述钼托的下端面设置有环形槽，环形槽的中心位置设置有中心凸起，中心凸起的高度与环形槽的边缘的高度相同，所述环形槽内设置有不少于一块的带有中心圆孔的环形块，环形块的中心圆孔的内径大于中心凸起的直径，环形块的外径小于环形槽的内径，环形块的高度与中心凸起的高度相同。采用底部环形槽与环形块的配合，有利于提高膜的表面温度均与性，从而提高膜的质量。
基本信息
专利标题 ：
一种基于MPCVD法制备金刚石膜的基片台
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123132689.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
CN216514120U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
李庆利甄西合赵丽媛刘得顺朱逢锐徐悟生刘畅徐超张钦辉
申请人 ：
河南微米光学科技有限公司
申请人地址 ：
河南省信阳市商城县城关镇轻工业园区100号
代理机构 ：
青岛博川宇知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李红丽
优先权 ：
CN202123132689.8
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 C23C16/27 C23C16/511
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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