一种MPCVD金刚石石膜基片
授权
摘要
本实用新型提供一种MPCVD金刚石石膜基片，涉及石膜基片技术领域，包括基片体，所述基片体的外表面设置有防护结构和缓冲散热结构，所述防护结构包括第一防护盖和第二防护盖，所述第一防护盖的外表面一侧固定连接有第一连接杆，所述第二防护盖的外表面一侧固定连接有第二连接杆，所述基片体的外表面开设有固定孔，所述缓冲散热结构包括第一缓冲海绵和第二缓冲海绵，所述第一缓冲海绵的外表面贯穿设置有第一散热孔，所述第二缓冲海绵的外表面贯穿设置有第二散热孔。本实用新型，整个装置通过第一防护盖、第二防护盖、固定孔、第一连接杆和第二连接杆的相互作用，避免基片体因磕碰造成磨损，提高了装置的实用性。
基本信息
专利标题 ：
一种MPCVD金刚石石膜基片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022340359.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-20
授权号 ：
CN214004777U
授权日 ：
2021-08-20
发明人 ：
满卫东龚闯朱长征吴剑波蒋梅荣
申请人 ：
上海征世科技股份有限公司
申请人地址 ：
上海市青浦区华浦路500号2幢西侧
代理机构 ：
上海精晟知识产权代理有限公司
代理人 ：
周琼
优先权 ：
CN202022340359.7
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 C23C16/27 C23C16/511
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2021-08-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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