一种ESD MOS管版图结构
授权
摘要
一种ESD MOS管版图结构，属于集成电路领域。所述结构包括2个或2个以上ESD子器件，ESD子器件共用一个芯片焊盘，以芯片焊盘为布局中心，ESD子器件对称地环绕在芯片焊盘的周围，形成环形布局，环形的具体形状按芯片焊盘的形状对称地进行调整。避免了每个焊盘均需采用ESD保护，从而减小了芯片版图面积，提升静电防护性能同时还改善了ESD器件与焊盘总面积之间的空间占用率，达到提高ESD器件抗静电能力和降低成本的目的。解决现有ESD器件在提高芯片抗静电能力的同时，芯片面积随之大幅增加及成本大幅增加的问题。广泛应用于ESD器件技术领域。
基本信息
专利标题 ：
一种ESD MOS管版图结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123180690.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
CN216597578U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
唐毓尚石力强刘健彭俊周文质尹国平曾信幸杨菲菲
申请人 ：
贵州振华风光半导体股份有限公司
申请人地址 ：
贵州省贵阳市乌当区新添大道北段238号
代理机构 ：
贵阳中工知识产权代理事务所
代理人 ：
刘安宁
优先权 ：
CN202123180690.8
主分类号 ：
H01L23/60
IPC分类号 ：
H01L23/60 H01L23/488 H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/60
防静电荷或放电的保护装置，例如法拉第防护屏
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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