一种多尺寸金属栅极的制作方法及装置
实质审查的生效
摘要
本申请实施例公开了一种多尺寸金属栅极的制作方法及装置，该方法包括：基于多晶硅栅极工艺在衬底结构形成至少两个多晶硅栅极的栅极沟槽，栅极沟槽的原始尺寸大于金属栅极的目标尺寸，目标尺寸是用于填充金属填充物的尺寸；根据目标尺寸在栅极沟槽的内侧壁沉积薄膜层，薄膜层用于填充栅极沟槽，将至少两个栅极沟槽的原始尺寸缩减为目标尺寸，其中，不同的栅极沟槽对应不同的目标尺寸；向至少两个栅极沟槽填充金属填充物，形成目标尺寸的金属栅极。本申请提供的方法，无需生成不同尺寸的多晶硅金属栅极，且可以实现批量生产，提高多尺寸金属栅极的制作效率。
基本信息
专利标题 ：
一种多尺寸金属栅极的制作方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388357A
申请号 ：
CN202210033145.6
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘格致叶甜春朱纪军罗军李彬鸿赵杰
申请人 ：
澳芯集成电路技术（广东）有限公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区香雪大道中85号1601-1607房
代理机构 ：
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
苗雨
优先权 ：
CN202210033145.6
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20220112
申请日 : 20220112
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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