金属键合封装结构和封装工艺
实质审查的生效
摘要
本发明涉及电子封装技术领域，公开一种金属键合封装结构和封装工艺，封装结构包括衬底晶圆和盖帽晶圆，衬底晶圆上设有热阻层和Pad点，热阻层上设置绝缘层，盖帽晶圆和绝缘层之间设置键合层。本申请的封装结构可直接通过在衬底晶圆的Pad点施加电流的方式对热阻层进行加热升温至一定温度，再通过绝缘层将热量传递至键合层上，温度高低可通过电流大小来调控，颠覆传统封装技术中需要采用加热基板系统进行加热的方式，无需对晶圆器件整体进行加热，避免封装结构整体加热对芯片内部器件层造成的热损伤和器件层失效状况。
基本信息
专利标题 ：
金属键合封装结构和封装工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530432A
申请号 ：
CN202210061180.9
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵龙姚浩强李海涛李兆营张磊梁靖
申请人 ：
安徽光智科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号
代理机构 ：
北京天盾知识产权代理有限公司
代理人 ：
肖小龙
优先权 ：
CN202210061180.9
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/488
申请日 : 20220119
申请日 : 20220119
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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