一种适用低温共烧陶瓷基板散热装置
公开
摘要
本发明公开了一种适用低温共烧陶瓷基板散热装置，具体涉及低温共烧陶瓷技术领域，传统降温所采用的方式大多为自然冷却或者外设风机进行辅助冷却，然而该种冷却方式的散热效率较低，包括T型板，T型板的一侧上端固定安装有支架，支架的一侧上端设有第一L型板，且支架的另一侧上端固定安装有异型架，异型架与第一L型板上设有移送机构，T型板上设有与移送机构配合使用的翻转机构，且异型架上设有与翻转机构配合使用的往复机构，通过移送机构的设置使用，能够带动移动板向靠近异型架的一侧进行间歇性移动，进一步能够带动三组网框向靠近异型架的一侧进行间歇性移动，从而能够使三组网框内均承载有烧结后的低温共烧陶瓷基板本体。
基本信息
专利标题 ：
一种适用低温共烧陶瓷基板散热装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361044A
申请号 ：
CN202210068838.9
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高春梅
申请人 ：
高春梅
申请人地址 ：
山东省临沂市郯城县郯东路437号工业园区4572
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210068838.9
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L23/15
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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